حافظه دسترسی تصادفی: تفاوت میان نسخهها
محتوای حذفشده محتوای افزودهشده
Amir.Vector (بحث | مشارکتها) بدون خلاصۀ ویرایش |
خنثیسازی ویرایش 29126944 از Amir.Vector (بحث) برچسب: خنثیسازی |
||
خط ۱۰:
== تاریخچه ==
حافظه درام میتواند به کم هزینه بسط داده شود ولی بازیابی از آیتمهای مورد نیاز غیر متوالی از درام به منظور [[بهینهسازی]] سرعت است.
چفت لوله لامپ سه قطبی از خلأ ساخته شدهاست و بعد از ان از ترانزیستورهای گسسته برای حافظههای کوچکتر و سریعتر مثل دسترسی تصادفی ثبت نام بانکها و ثبت امارها مورد استفاده قرار گرفت چنین ثبت امار نسبتاً بزرگی برای تعداد زیادی داده بسیار پرهزینه است در کل فقط چند صد یا چند هزار بیت چنین حافظههایی ارائه شدهاست.{{سخ}}
خط ۲۴:
# [[حافظه دسترسی تصادفی ایستا|RAM ایستا]] (SRAM)
# [[حافظه دسترسی تصادفی موازی]] (PRAM)
در رمهای ایستا یک بیت داده با استفاده از حالت الاکلنگ ذخیره میشوند این گونه رمها برای تولید گرانتر هستند ولی سریعتر هستند و نسبت به رمهای پویا نیاز به قدرت کمتری دارند و در
رمهای پویا برای ذخیره یک بیت داده از یک جفت ترانزیستور و خازن که با هم تشکیل یک سلول حافظه میدهند استفاده میشود. خازن شارژ بالا یا پایین را نگه میدارد و و ترانزیستور به عنوان یک سوییچ است که اجازه میدهد تا مدار کنترل بر روی تراشه موقعیت شارژ خازن را تشخیص دهد ان را تغییر دهد این نوع حافظه از رمهای ایستا ارزانتر است اغلب از این نوع در
رمهای پویا و ایستا هردو [[حافظه فرار]] هستند بهطوریکه با خاموش شدن سیستم حافظه پاک میشود.
نوع قابل درج رامها مثل فلش مموری خواص رم و رام را دارند اطلاعات را در حالت متصل نبودن نگه میدارد و بدون نیاز به تجهیزات خاص به روز میشود.{{سخ}}
انواع رامهای پایدار [[نیمه هادی]] عبارتند از درایو [[یو اس بی]] فلش، کارت حافظه، حافظه ECC برای دوربینها و دستگاههای [[قابل حمل]] که میتواند پویا یا ایستا باشد شامل مدارهای خاصی برای تشخیص یا درست کردن اشتباهات تصادفی در دادههای ذخیره شده با استفاده از [[بیت توازن]] یا کد تصحیح خطا است.
در کل اصطلاح رم اشاره دارد به دستگاههای حافظه حالت جامد (چه DRAM یا SRAM) وبهطور خاص به [[حافظه اصلی]] بیشتر
در ذخیرهسازی نوری اصطلاح DVD-RAMاز اسم بی مسمی برخوردار است برخلاف CD-RW یا DVD-RW نیاز ندارد قبل استفاده پاک شود با این وجود یک DVD-RAM رفتاری مشابه هارددیسک دارد.
== سلسله مراتب حافظه ==
در رم میتوان دادهها را خواند و بازنویسی کرد بسیاری از سیستمهای
کل این حافظهها را میتوان به عنوان رم توسط بسیاری از توسعه دهندگان در نظر گرفت هرچند که سیستمهای مختلف میتوانند در زمان دسترسی بسیار متفاوت باشند نقض مفهوم اصلی در پشت این واژه با دسترسی تصادفی در رم حتی در یک سلسله مراتب مثل DRAM در یک ردیف خاص ستون بانک رتبه بندی کانال یا سازمان ترکیبکننده زمان دسترسی را متغیر میسازد البته نه به حدی که چرخش [[رسانههای ذخیرهسازی]] ویا یک نوار متغیر است. بهطور کلی هدف از استفاده از سلسله مراتب حافظه برای به دست اوردن بالاترین عملکرد قابل دسترس و به حداقل رساندن هزینه کل سیستم حافظه است.
خط ۴۰:
=== حافظه مجازی ===
بیشتر سیستم عاملهای مدرن روش گسترش ظرفیت حافظه را به کار میگیرند که به نام [[حافظه مجازی]] شناخته میشود بخشی از هارد دیسک
وقتی حافظه سیستم کم میشود بخشی از رم به فایل صفحه بندی برای ایجاد فضایی برای دادههای جدید منتقل میشود و همچنین برای بازگردانی اطلاعات قبلی استفاده میشود استفاده بیش از حد از این مکانیزم مانع عملکرد کلی سیستم میشود چون هارددیسک به مراتب از رم کندتر است.{{سخ}}
نرمافزاری که قسمتی از یک RAM
== SHADOW RAM ==
گاهی اوقات، محتویات تراشهٔ ROM کم سرعت به منظور کوتاهتر کردن زمان دستیابی، برای حافظهٔ READ/WRITE کپی میشود. تراشه ROM هنگام تغییرمکان اولیه حافظه بر روی بلوک مشابه به آدرسها (اغلب غیرقابل رایت)، غیرفعال میشود. این فرایند، که به ان SHADOWING گفته میشود، در هردوی
بعنوان یک نمونه رایج ،BIDS در
== پیشرفتهای اخیر ==
خط ۵۳:
== دیوارهای حافظه ==
دیوارهای حافظه، اختلافات وعدم توازن، پهنای باند ارتباطی محدود در حاشیه تراشه است. از سال ۱۹۸۶ تا ۲۰۰۰، سرعت cpu به میزان سالانه ۵۵٪ و سرعت حافظه تنها به میزان ۱۰٪ بهبود یافت. باوجوداین گرایشها،انتظار می رفت که رکورد حافظه به یک تنگنای سراسری در عملکرد
پیشرفتهای سرعت cpuبهطور قابل توجهی کند شود، بخشی به سبب موانع اصل فیزیکی موجود و بخشی به دلیل وجود مشکل دیوارهٔ حافظه در طراحیهای اخیر cpu از برخی جهات میباشد. این دلایل به صورت اسنادی درسال ۲۰۰۵ توسط INTEL تشریح شد.{{سخ}}
ابتدا، باکوچک شدن هندسی تراشه و بالارفتن فرکانسهای کلاک، جریان نشست ترانزیستور افزایش یافته و موجب مصرف توان و گرمای بیشتر میشود. ثانیاً میکرومتری پیدایش یافت. دو تکنیک درحال توسعه تکنولوژی"کروکس"ارائه شده وانتقال گشتاور اپسین (STT) که باهمکاری کروکس، هاینیکس ،IBM و چندین کارخانه دیگر توسعه یافتهاست. درسال ۲۰۰۴، "نانترو" ارایهٔ GiB10 از پیش نمونه حافظهٔ [[نانوتیوب کربنی]] را تولید کرد با این وجود، توانایی این تکنولوژیها در بهکارگیری احتمال اشتراک فروش تجاری از DRAMتاSRAM یا تکنولوژی فلش مموری همچنان نامشخص ماندهاست .{{سخ}}
|