'''نیترید کربن بتا''' با [[فرمول شیمیایی]] '''β-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>''' از [[مواد فراسخت]] است تا جایی که برخی از محققان سختی آن را بیش از الماس میدانند.<ref>{{یادکرد خبر |نام خانوادگی۱=Ball |نام۱=P |عنوان=Crunchy filling |نشانی=https://www.nature.com/news/2000/000511/full/news000511-1.html |تاریخ بازبینی=6 ژانویه 2021 |doi=10.1038/news000511-1 |ناشر=nature |تاریخ=5 Jun 2000}}</ref>
خط ۶:
تولید و سنتز این ماده برای سالیان سال ناشدنی تلقی میشد اما اخیراً سنتز نیترید کربن بتا ممکن شد. به عنوان مثال نانو ذرات نیترید کربن بتا و نانو میلههای این ماده به وسیله فرایندهای مکانیکی-شیمیایی تولید شدند.<ref>{{یادکرد ژورنال |نام خانوادگی۱=Niu |نام۱=C |نام خانوادگی۲=Lu |نام۲=Y |نام خانوادگی۳=Lieber |نام۳=C |عنوان=ntal Realization of the Covalent Solid Carbon Nitride |ژورنال=Science |تاریخ=1993 |صفحه=334–337 |doi = 10.1126/science.261.5119.334 |pmid=17836844 | پیوند=http://www.sciencemag.org/cgi/content/abstract/261/5119/334}}</ref><ref>{{یادکرد ژورنال |نام خانوادگی۱=Martín-Gil |نام۱=J |نام خانوادگی۲=Martín-Gil |نام۲=F. J |نام خانوادگی۳=Sarikaya |نام۳=M |نام خانوادگی۴=Qian |نام۴=M |نام خانوادگی۵=José-Yacamán |نام۵=M |عنوان=Evidence of a Low-Compressibility Carbon Nitride with Defect-Zincblende Structure |ژورنال=Journal of Applied Physics |تاریخ=1997 |جلد=81 |صفحات=2555–2559 |doi = 10.1063/1.364301|
طی واکنشی شیمیایی مکانیکی امکان سنتز نیترید کربن بتا وجود دارد. در این روش گرافیت خالص تحت اتمسفر آرگون تا رسیدن به سایز نانو به وسیلهٔ [[آسیاب گلولهای]] خردایش مییابد سپس گاز آرگون تخلیه شده و گاز NH<sub>3</sub> تزریق میگردد پس از بالمیل با انرژی بالا، ساختار پوسته مانند β-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub> به دست میآید.<ref name=":1"/> درحین آسیاب بهطور مداوم ذرات گرافیت و واکنش کنندهها میشکنند و [[تغییر فرم]] میدهند. [[تغییر فرم پلاستیک]] ذرات پودر گرافیت به دلیل شکست دانهها و تبدیل آن به زیر دانهها، که توسط مرزدانههای کم زاویه از هم جدا شدهاند، صورت میگیرد. با ادامه یافتن آسیاب زیردانهها نیز خرد میشوند تا زمانیکه زیردانهها به مقیاس نانو برسند. فشار بالا و حرکت پیوسته موجب تجزیهٔ [[فروکافت]] مولکولهای NH<sub>3</sub> و تبدیل آن به [[گاز تک اتمی]] نیتروژن و نشستن آن بر روی سطح شکستهٔ کربن میشود. پودر کربن با اندازهٔ نانو رفتاری کاملاً متفاوت نسبت به بالک آن نشان میدهد و ابعاد و سطح ویژهٔ ذرات آن باعث واکنش راحت آن با نیتروژن آزاد و به وجود آمدن پودر β-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub> میشود.<ref name=":2"/>
اخیرااخیراً تلاش هایتلاشهای زیادی برای تهیه یتهیهٔ نیترید کربن به روش هایروشهای گزارش در زمان هایزمانهای گذشته شامل روش فیزیکی و [[انباشت بخار شیمیایی]]<ref>{{یادکرد ژورنال |نام خانوادگی۱=Zhang |نام۱=Z |نام خانوادگی۲=Guo |نام۲=H |نام خانوادگی۳=Xu |نام۳=Y |عنوان=Corrosion resistance studies on aC3N4 thin films deposited on pure iron by plasma-enhanced chemical vapor deposition |ژورنال=Mater. Sc |تاریخ=1999 | doi=10.1023/A:1006631925848|صفحات=685–687}}</ref> و روش هایروشهای فشار و دما بالا صورت گرفته استگرفتهاست.<ref>{{یادکرد ژورنال |نام خانوادگی۱=Montigaud |نام۱=H |نام خانوادگی۲=Tanguy |نام۲=B |نام خانوادگی۳=Demazeau |نام۳=G |عنوان=Dream or reality? Solvothermal synthesis as macroscopic samples of the C3N4 graphitic form |ژورنال=Mater. Sci |تاریخ=2000 | doi=10.1023/A:1004798509417|صفحات=2547–2552}}</ref> سنتز نیترید کربن به وسیله یوسیلهٔ روش [[سنتز سولوترمال]] نیز در برخی از زارشات مورد بررسی قرار گرفتهگرفتهاست. است.این روش نسبت به روش هایروشهای قبلی ذکر شده مصرف انرژی پایین تریپایینتری دارد، تشکیل ذرات یک دست و ریز میدهد،میدهد، مورفولوژی محصول قابل کنترل است و هزینه یهزینهٔ کمتری دارد.<ref>{{یادکرد ژورنال |نام خانوادگی۱=Bai |نام۱=Y |نام خانوادگی۲=Lü |نام۲=J |نام خانوادگی۳=Liu |نام۳=B |عنوان=Solvothermal preparation of graphite-like C3N4 nanocrystals |ژورنال=Cryst. Growth |تاریخ=2003 |doi=10.1021/acscatal.6b01889|صفحات=505–508}}</ref><ref>{{یادکرد ژورنال |نام خانوادگی۱=Cui |نام۱=Y |نام خانوادگی۲=Ding |نام۲=Z |عنوان=Construction of conjugated carbon nitride nanoarchitectures in solution at low temperatures for photoredox catalysis. Angew |ژورنال=Chem. Int. Ed |تاریخ=2012 |doi=10.1002/anie.201206534|صفحات=11814–11818}}</ref><ref>{{یادکرد ژورنال |نام خانوادگی۱=Zhan |نام۱=J |نام خانوادگی۲=Wang |نام۲=Y |عنوان=Efficient visiblelight photocatalytic hydrogen evolution and enhanced photostability of core/ shell CdS/g-C3N4 nanowires |ژورنال=ACS Appl. Mater |تاریخ=2013 |doi=10.1021/am403327g|صفحات=10317–10324}}</ref>