نوارهای هدایت و ظرفیت: تفاوت میان نسخهها
محتوای حذفشده محتوای افزودهشده
بدون خلاصۀ ویرایش |
نجات ۱ منبع و علامتزدن ۰ بهعنوان مرده.) #IABot (v2.0.8 |
||
خط ۶:
در نیمهرساناها که گاه هدایت الکتریکی دیده میشود به این دلیل است که تعدادی از الکترونهای نوار ظرفیت آن قدر انرژی بدست میآورند (مثلاً [[انرژی حرارتی]]) که میتوانند از نوار ممنوعه عبور کرده و به نوار هدایت بروند. در این حالت هم الکترونهایی که در نوار هدایت هستند و هم حفرههایی که در نوار ظرفیت ایجاد شدهاند میتوانند هدایت الکتریکی را سبب شوند.
در فلزات باند ظرفیت کاملاً پر نشده و الکترونها میتوانند به راحتی حرکت کنند. در واقع نوار هدایت یا باند هدایت نواری است که از [[نوار ظرفیت]]، [[الکترون]] میپذیرد.<ref>. http://www.chembio.uoguelph.ca/educmat/chm729/band/cod.htm {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20180208053105/http://www.chembio.uoguelph.ca/educmat/chm729/band/cod.htm |date=8 فوریه 2018 }} (بازیابی در ۲۹ نوامبر ۲۰۱۵)</ref> [[حامل بار|حاملهای بار]] منفی، [[الکترون|الکترونهایی]] هستند که [[انرژی]] کافی برای فرار از نوار ظرفیت و پرش به نوار هدایت را داشتهاند. آنها آزادانه در سراسر [[کریستال|شبکهٔ کریستالی]] حرکت میکنند و بهطور مستقیم در [[رسانا]] سازی [[نیمههادی]] نقش دارند. حاملهای بار مثبت، [[حفره الکترونی|حفرهها]] هستند. حضور یک حفره اشاره به این واقعیت است که در باند جایی برای یک الکترون (یعنی منفی حامل بار) وجود دارد در حالی که الکترون ثابتی در آن مکان خاص وجود ندارد. از آنجا که الکترون پتانسیل آن را دارد که وجود داشته باشد و در عین حال وجود نداشته باشد، از حفره به عنوان حامل مثبت شارژ هم یاد شدهاست.
== جستارهای وابسته ==
|