ترانزیستور اثر میدان: تفاوت میان نسخه‌ها
محتوای حذف‌شده محتوای افزوده‌شده
جز ربات: انتقال رده به درخواست ماني از رده:ادوات نیمه هادی به رده:قطعات نیمرسانا |
ویژگی پیوندهای پیشنهادی: ۳ پیوند افزوده شد. برچسبها: ویرایشگر دیداری ویرایش همراه ویرایش از وبگاه همراه وظیفه تازهوارد پیشنهادی: افزودن پیوند |
||
خط ۱:
[[پرونده:P45N02LD.jpg|چپ|270px|بندانگشتی|[[ترانزیستور]]]]
'''ترانزیستور اثر میدان''' یا '''فت'''، دسته‌ای از [[ترانزیستور]]ها هستند که مبنای کار کنترل جریان، در آن‌ها توسط یک [[میدان الکتریکی]] صورت می‌گیرد. با توجه به این‌که در این ترانزیستورها تنها یک نوع [[حامل بار]] (الکترون آزاد یا حفره) در ایجاد جریان الکتریکی دخالت دارند، می‌توان آن‌ها را جزو ترانزیستورهای تک‌قطبی محسوب کرد که در مقابل [[ترانزیستور پیوندی دوقطبی|ترانزیستورهای دوقطبی]] (که حامل‌های اکثریت و اقلیت هم‌زمان در آن‌ها نقش دارند) قرار می‌گیرند.<ref>{{پک|میرعشقی|۱۳۸۵|ک=مبانی الکترونیک|ف=ترانزیستورهای اثر میدان|ص=۲۸۱}}</ref>
ترانزیستورهای اثر میدان دارای سه پایهٔ [[سورس]]، درین و گیت هستند. این دسته از ترانزیستورها خود به دو گروه [[ماسفت]] و [[جی‌فت]] تقسیم می‌شوند. در این نوع ترانزیستورها، برخلاف ترانزیستورهای دوقطبی پیوندی که کنترل جریان [[امیتر]] و [[کلکتور]] با ''[[جریان]]'' ورودی به [[بیس (ترانزیستور)|بیس]] صورت می‌گیرد، کنترل جریان سورس و درین با اعمال ''[[ولتاژ]]'' به گیت صورت می‌گیرد.
خط ۱۳:
== اهمیت و ویژگی‌های ترانزیستورهای اثر میدان ==
در مقایسه با [[ترانزیستورهای پیوندی]]، ترانزیستورهای اثر میدان را می‌توان یک وسیلهٔ حساس به ولتاژ دانست که [[امپدانس]] ورودی آن بسیار زیاد (در حدود ۱۰<sup>۱۴</sup> [[اهم]]) و امپدانس خروجی‌اش نیز به‌نسبت زیاد است. ماسفت‌ها در مقایسه با [[بی‌جی‌تی]]ها بسیار کوچکند به‌طوری‌که تنها ۱۰ تا ۲۰ درصد از فضای اشغال‌شده در توسط آن‌ها را اشغال می‌کنند و بنابراین در یک [[تراشه]] تعدادی زیادی ماسفت را می‌توان جای داد و به همین خاطر است که ماسفت‌ها کاربرد گسترده‌ای در [[یکپارچه‌سازی بزرگ‌مقیاس]] دارند. تفاوت دیگر ماسفت‌ها با ترانزیستورهای پیوندی در این است که ماسفت‌ها در بازه‌ای از گسترهٔ عملکردشان مانند یک مقاومت کنترل‌شده با ولتاژ عمل می‌کنند و نسبت به آی‌سی‌های مقاومتی مشابه جای کمتری در تراشه‌ها می‌گیرند. ویژگی سوم ماسفت‌ها مقاومت بسیار زیاد ورودی‌شان است؛ این ویژگی بدین معنا خواهد بود که [[ثابت زمانی]] مدار ورودی به قدری بالا است که اجازه می‌دهد [[بار الکتریکی]] ذخیره‌شده در خازن کوچک ورودی برای مدت طولانی باقی بماند و بتوان از آن به عنوان یک ابزار ذخیره‌سازی در مدارهای دیجیتال استفاده کرد. ویژگی چهارم ماسفت‌ها قابلیتشان در مصارف توان‌بالا است که می‌توانند جریان‌ها زیاد را در چند نانوثانیه کلیدزنی کنند که این مدت نسبت به آنچه در بی‌جی‌تی‌ها امکان‌پذیر است بسیار سریع‌تر است. ویژگی چهارم امکان استفاده از ماسفت‌ها را در مدارهای فرکانس‌بالایِ توان‌بالا ممکن می‌سازد.<ref>{{پک|Schilling|۱۹۸۷|ک=Electronic Circuits: Discrete and Integrated|ف=The Field-Effect Transistor|ص=۱۳۴}}</ref> مزیت دیگر ماسفت‌ها در مدارهای دیجیتال این است که توان مصرفی آن‌ها در حالت خاموش تقریباً صفر است.<ref>{{پک|Schilling|۱۹۸۷|ک=Electronic Circuits: Discrete and Integrated|ف=The Field-Effect Transistor|ص=۱۳۵}}</ref>
== جستارهای وابسته ==
| |||