تفاوت میان نسخه‌های «ترانزیستور اثر میدان»

اهمیت و ویژگی‌های ترانزیستورهای اثر میدان
جز (ربات: افزودن ro:Tranzistor unipolar)
(اهمیت و ویژگی‌های ترانزیستورهای اثر میدان)
{{بهبود منبع}}
 
[[پرونده:P45N02LD.jpg|left|270px|thumb|[[ترانزیستور]]]]
یکی از پایه‌های (پایانه‌های) ترانزیستور [[FET]] است.
فت دارای سه پایه با نام‌های [[درِین]] D - [[سورس]] S و [[گیت]] G است که پایه گیت، جریان عبوری از درین به سورس را کنترل می‌نماید. فت‌ها دارای دو نوع N کانال و P کانال هستند. در فت نوع N کانال زمانی که گیت نسبت به سورس مثبت باشد جریان از درین به سورس عبور می‌کند. FETها معمولاً بسیار حساس بوده و حتی با الکتریسیته ساکن بدن نیز تحریک می‌گردند. به همین دلیل نسبت به نویز بسیار حساس هستند.
 
==اهمیت و ویژگی‌های ترانزیستورهای اثر میدان ==
در مقایسه با ترانزیستورهای پیوندی، ترانزیستورهای اثر میدان را می‌توان یک وسیلهٔ حساس به ولتاژ دانست که [[امپدانس]] ورودی آن بسیاربسیار زیاد (در حدود ۱۰<sup>۱۴</sup> [[اهم]]) و امپدانس خروجی‌اش نیز به‌نسبت زیاد است. ماسفت‌ها در مقایسه با [[بی‌جی‌تی]]ها بسیار کوچکند به طوری که تنها ۱۰ تا ۲۰ درصد از فضای اشغال‌شده در توسط آن‌ها را اشغال می‌کنند و بنابراین در یک [[تراشه]]ٔ [[آی‌سی]] تعدادی زیادی ماسفت را می‌توان جای داد و به همین خاطر است که ماسفت‌ها کاربرد گسترده‌ای در [[یکپارچه‌سازی بزرگ‌مقیاس]] دارند. تفاوت دیگر ماسفت‌ها با ترانزیستورهای پیوندی در این است که ماسفت‌ها در بازه‌ای از گسترهٔ عملکردشان مانند یک مقاومت کنترل‌شده با ولتاژ عمل می‌کنند و نسبت به آی‌سی‌های مقاومتی مشابه جای کمتری در تراشه‌ها می‌گیرند. ویژگی سوم ماسفت‌ها مقاومت بسیار زیاد ورودی‌شان است؛ این ویژگی بدین معنا خواهد بود که ثابت زمانی مدار ورودی به قدری بالا است که اجازه می‌دهد بار الکتریکی ذخیره‌شده در خازن کوچک ورودی برای مدت طولانی باقی بماند و بتوان از آن به عنوان یک ابزار ذخیره‌سازی در مدارهای دیجیتال استفاده کرد. ویژگی چهارم ماسفت‌ها قابلیتشان در مصارف توان‌بالا است که می‌توانند جریان‌ها زیاد را در چند نانوثانیه کلیدزنی کنند که این مدت نسبت به آنچه در بی‌جی‌تی‌ها امکان‌پذیر است بسیار سریع‌تر است. ویژگی چهارم امکان استفاده از ماسفت‌ها را در مدارهای فرکانس‌بالایِ توان‌بالا ممکن می‌سازد.<ref>{{پک|Schilling|1987|ک=Electronic Circuits: Discrete and Integrated|ص=134}}</ref> مزیت دیگر ماسفت‌ها در مدارهای دیجیتال این است که توان مصرفی آن‌ها در حالت خاموش تقریباً صفر است.<ref>{{پک|Schilling|1987|ک=Electronic Circuits: Discrete and Integrated|ص=135}}</ref>
 
== منابع ==
{{پانویس}}
* {{یادکرد کتاب |نام خانوادگی=Schilling |نام=Donald L. |کتاب=Electronic Circuits Discrete and Integrated | ناشر=McGRAW-HILL |سال=1987|شابک=0-07-055294-0|زبان=en}}
 
{{قطعات الکترونیکی}}
{{خرد}}