ترانزیستور اثر میدان: تفاوت میان نسخه‌ها

'''ترانزیستورترانزیستورهای اثر میدان'''، دسته‌ای از [[ترانزیستور]]ها هستند که دارای سه پایهٔ [[سورس]] و، [[درین]] و [[گیت]] می‌باشندهستند. این دسته از ترانزیستورها خود به دو گروه [[ترانزیستورهای اثر میدان ام‌اواسماسفت]] (MOSFET) و ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی یا JFET[[جی‌فت]] تقسیم می‌شوند. در این نوع ترانزیستورها، برخلاف ترانزیستورهای دو قطبی پیوندی که کنترل جریان [[امیتر]] و [[کلکتور]] با ''[[جریان]]'' ورودی به [[بیس (ترانزیستور)|بیس]] صورت می‌گیرد، کنترل جریان سورس و درین با اعمال ''[[ولتاژ]]'' به گیت صورت می‌گیرد.این ترانزیستورها در ساخت مجتمع‌های آنالوگ مانند IC و... استفاده می‌شود.

فت‌ها در ساخت فرستنده باند اف ام رادیو نیز کاربرد فراوانی دارند. برای تست کردن فت کانال N با مالتی متر، نخست پایه گیت را پیدا می‌کنیم. یعنی پایه‌ای که نسبت به دو پایه دیگر در یک جهت مقداری رسانایی دارد و در جهت دیگر مقاومت آن بی نهایت است. معمولاً مقاومت بین پایه درین و گیت از مقاومت پایه درین و سورس بیشتر است که از این طریق می‌توان پایه درین را از سورس تشخیص داد.

== اهمیت و ویژگی‌های ترانزیستورهای اثر میدان ==

در مقایسه با [[ترانزیستورهای پیوندی]]، ترانزیستورهای اثر میدان را می‌توان یک وسیلهٔ حساس به ولتاژ دانست که [[امپدانس]] ورودی آن بسیاربسیار زیاد (در حدود ۱۰^۱۴ [[اهم]]) و امپدانس خروجی‌اش نیز به‌نسبت زیاد است. ماسفت‌ها در مقایسه با [[بی‌جی‌تی]]‌ها بسیار کوچکند به طوری که تنها ۱۰ تا ۲۰ درصد از فضای اشغال‌شده در توسط آن‌ها را اشغال می‌کنند و بنابراین در یک [[تراشه]]ٔ [[آی‌سی]] تعدادی زیادی ماسفت را می‌توان جای داد و به همین خاطر است که ماسفت‌ها کاربرد گسترده‌ای در [[یکپارچه‌سازی بزرگ‌مقیاس]] دارند. تفاوت دیگر ماسفت‌ها با ترانزیستورهای پیوندی در این است که ماسفت‌ها در بازه‌ای از گسترهٔ عملکردشان مانند یک مقاومت کنترل‌شده با ولتاژ عمل می‌کنند و نسبت به آی‌سی‌های مقاومتی مشابه جای کمتری در تراشه‌ها می‌گیرند. ویژگی سوم ماسفت‌ها مقاومت بسیار زیاد ورودی‌شان است؛ این ویژگی بدین معنا خواهد بود که ثابت زمانی مدار ورودی به قدری بالا است که اجازه می‌دهد بار الکتریکی ذخیره‌شده در خازن کوچک ورودی برای مدت طولانی باقی بماند و بتوان از آن به عنوان یک ابزار ذخیره‌سازی در مدارهای دیجیتال استفاده کرد. ویژگی چهارم ماسفت‌ها قابلیتشان در مصارف توان‌بالا است که می‌توانند جریان‌ها زیاد را در چند نانوثانیه کلیدزنی کنند که این مدت نسبت به آنچه در بی‌جی‌تی‌ها امکان‌پذیر است بسیار سریع‌تر است. ویژگی چهارم امکان استفاده از ماسفت‌ها را در مدارهای فرکانس‌بالایِ توان‌بالا ممکن می‌سازد.<ref>{{پک|Schilling|1987۱۹۸۷|ک=Electronic Circuits: Discrete and Integrated|ف=The Field-Effect Transistor|ص=134۱۳۴}}</ref> مزیت دیگر ماسفت‌ها در مدارهای دیجیتال این است که توان مصرفی آن‌ها در حالت خاموش تقریباً صفر است.<ref>{{پک|Schilling|1987۱۹۸۷|ک=Electronic Circuits: Discrete and Integrated|ف=The Field-Effect Transistor|ص=135۱۳۵}}</ref>

* {{یادکرد کتاب |نام خانوادگی=Schilling |نام=Donald L. |کتاب=Electronic Circuits Discrete and Integrated | ناشر=McGRAW-HILL |سال=1987۱۹۸۷|شابک=0۰-07۰۷-055294۰۵۵۲۹۴-0۰|زبان=en}}