تفاوت میان نسخه‌های «طرح‌نگار الکترونی»

جز
بدون خلاصه ویرایش
جز
'''لیتوگرافی پرتو الکترونی'''
لیتوگرافی یا طرح نگاری الکترونی در اوایل دهه 1960 میلادی تقریبا هم همان زمان با طرح نگاری نوری ابداع شد. طرح نگار الکترونی از میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) منشعب شده و بسیار شبیه آن است. این روش تنها با کشف پلیمر حساس به الکترون معروف به PMMA،[[PMMA]]، امکان پذیر شد؛ تابش الکترون به PMMA،[[PMMA]]، همانند تابش نور به پلیمر واسط در طرح نگار نوری است. ساخت طرح نانومتری بواسطه طرح نگاری الکترونی بسیار زودتر از طرح نگاری نوری انجام شد. از آنجا که پرتو الکترونی بسیار باریک فراهم گشت، طرح نگاری الکترونی با [[PMMA]] بسیار زود توانست وضوح تصویر بسیار بالاتری از آنچه که در آن زمان برای طرح نگاری نوری یک رویا بود دست یابد. در اوایل دهه 1970 میلادی، طرح نگاری الکترونی توانست طرح های 60 نانومتری ایجاد کند. در حال حاضر، طرح نگاری الکترونی بهمراه پلیمرهای واسط مخصوص و فرآیندهای شیمیایی مربوطه می تواند طرح های کمتر از 10 نانومتر ایجاد کند.
بر خلاف طرح نگار نوری، در این روش از ماسک استفاده نمی شود به همین دلیل سرعت بسیار پایین تری نسبت به طرح نگار نوری دارد.