English: Simplified process of fabrication of a CMOS inverter on p-type substrate in semiconductor microfabrication. Note: Gate, source and drain contacts are not normally in the same plane in real devices, and the diagram can be scale.
برای به اشتراک گذاشتن – برای کپی، توزیع و انتقال اثر
تلفیق کردن – برای انطباق اثر
تحت شرایط زیر:
انتساب – شما باید اعتبار مربوطه را به دست آورید، پیوندی به مجوز ارائه دهید و نشان دهید که آیا تغییرات ایجاد شدهاند یا خیر. شما ممکن است این کار را به هر روش منطقی انجام دهید، اما نه به هر شیوهای که پیشنهاد میکند که مجوزدهنده از شما یا استفادهتان حمایت کند.
انتشار مشابه – اگر این اثر را تلفیق یا تبدیل میکنید، یا بر پایه آن اثری دیگر خلق میکنید، میبایست مشارکتهای خود را تحت مجوز یکسان یا مشابه با ا اصل آن توزیع کنید.
اجازهٔ کپی، پخش و/یا تغییر این سند تحت شرایط مجوز مستندات آزاد گنو، نسخهٔ ۱٫۲ یا هر نسخهٔ بعدتری که توسط بنیاد نرمافزار آزاد منتشر شده؛ بدون بخشهای ناوردا (نامتغیر)، متون روی جلد، و متون پشت جلد، اعطا میشود. یک کپی از مجوز در بخشی تحت عنوان مجوز مستندات آزاد گنو ضمیمه شده است.http://www.gnu.org/copyleft/fdl.htmlGFDLGNU Free Documentation Licensetruetrue
{{Information |Description ={{en|1=Simplified process of fabrication of a CMOS inverter on p-type substrate in semiconductor microfabrication. Note: Gate, source and drain contacts are not normally in the same plane in real devices, and the diagram is
این پرونده حاوی اطلاعات اضافهایاست که احتمالاً دوربین دیجیتال یا پویشگری که در ایجاد یا دیجیتالیکردن آن به کار رفته آن را افزوده است. اگر پرونده از وضعیت ابتداییاش تغییر داده شده باشد آنگاه ممکن است شرح و تفصیلات موجود اطلاعات تصویر را تماماً بازتاب ندهد.
عنوان کوتاه
Simplified process of fabrication of a CMOS inverter
عنوان تصویر
Simplified process of fabrication of a CMOS inverter on p-type substrate in semiconductor microfabrication, drawn by CMG Lee. Note: Gate, source and drain contacts are not normally in the same plane in real devices, and the diagram is not to scale.