ترانزیستور: تفاوت میان نسخه‌ها
محتوای حذف‌شده محتوای افزوده‌شده
به نسخهٔ 24585822 ویرایش Mpj7 برگردانده شد. (توینکل) برچسب: خنثی‌سازی |
Ehsanrahmati (بحث | مشارکتها) ←ساختمان ترانزیستور پیوندی: با چند نقطه برچسب‌ها: ویرایش همراه ویرایش از وبگاه همراه |
||
خط ۸۸:
==== ساختمان ترانزیستور پیوندی ====
ترانزیستور دارای دو پیوندگاه‌است. یکی بین امیتر و بیس و دیگری بین بیس و کلکتور. به همین دلیل ترانزیستور شبیه دو دیود است. دیود سمت چپ را دیود بیس _ امیتر یا صرفاً دیود امیتر و دیود سمت راست را دیود کلکتور _ بیس یا دیود کلکتور می‌نامیم. میزان ناخالصی ناحیه وسط به مراتب کمتر از دو ناحیه جانبی است. این کاهش ناخالصی باعث کم شدن هدایت و بالعکس باعث زیاد شدن مقاومت این ناحیه می‌گردد...
امیتر که به شدت آلائیده شده، نقش گسیل یا تزریق الکترون به درون بیس را به عهده دارد. بیس بسیار نازک ساخته شده و آلایش آن ضعیف است و لذا بیشتر الکترونهای تزریق شده از امیتر را به کلکتور عبور می‌دهد. میزان آلایش کلکتور کمتر از میزان آلایش شدید امیتر و بیشتر از آلایش ضعیف بیس است و کلکتور الکترونها را از بیس جمع‌آوری می‌کند.
| |||