'''خازن واپخشی یا نفوذی''' [[ظرفیت خازنی|'''(''']]'''Diffusion Capacitance[[ظرفیت خازنی|)]]''' [[ظرفیت خازنی|خازنی]] است که در نتیجه انتقال [[حامل بار|حامل‌های بار]] بین دو پایانه یک قطعه ،قطعه، برای مثال، نفوذ حامل از آند به کاتد در حالت [[بایاس کردن|بایاس]] مستقیم یک [[دیود]] یا از امیتر به بیس در بایاسِ مستقیم در [[اتصال پی-ان|محل پیوند]] یک [[ترانزیستور]] ایجاد می‌شود. در یک قطعه [[نیم‌رسانا]] که جریان از طریق آن جاری است (به عنوان مثال، انتقال مداوم بار توسط [[واپخش|واپخشی]]) در یک لحظه خاص، لزوماً در روند گذر از طریق قطعه مقدار بار وجود دارد. اگر ولتاژ اعمال شده به مقدار متفاوتی تغییر یابد و جریان فعلی به یک مقدار متفاوت تغییر یابد، در شرایط جدید مقدار بار متفاوت در حال انتقال است. تغییر در مقدار بار انتقالی تقسیم بر تغییر ولتاژ باعث ایجاد خازن واپخشی است. از صفت "«واپخشی"» استفاده می‌شود زیرا استفاده اصلی از این اصطلاح برای دیودهای پیوندی بود، جایی که انتقال بار از طریق مکانیسم واپخشی انجام می‌شد. به [[قوانین نفوذ فیک]] مراجعه کنید.
برای انجام کمّی این مفهوم، در یک لحظه خاص در زمان اجازه دهید ولتاژ در دو سَر قطعه <math>V</math> باشد. اکنون فرض کنید که ولتاژ با زمان به آرامی تغییر می‌کند که در هر لحظه جریان عبوری همان جریانِ DC است که در آن ولتاژ جاری است، می‌گویند <math>I=I(V)</math> (''تقریب شبه ساکن''). فرض کنید که زمان عبور از قطعه '''زمان گذار مستقیم'''، <math>{\tau}_F</math> است. در این حالت میزان بار گذرا از طریق قطعه در این لحظه خاص، مشخص می‌شود با <math>Q</math> ، از رابطه زیر بدست می‌آید
:: <math>Q=I(V){\tau}_F </math> .
در نتیجه ،نتیجه، ظرفیت واپخشی مربوطه: <math>C_{diff} </math>. است
در صورت عدم تقریب شبه-ساکن، معادله صادق نیست، یعنی برای تغییر ولتاژ بسیار سریع که در زمان های کوتاهزمان‌های ترکوتاه‌تر از زمان گذار <math>{\tau}_F </math> اتفاق می‌افتد، برای یافتن بار در حال گذر باید معادلات حاکم بر حمل و نقل وابسته به زمان در قطعه عنوان مثال [[معادله بولتسمان|معادله بولتزمن]]<nowiki/>حل شود. این مشکل موضوعی است که ادامه تحقیقات تحت عنوان ''اثرات غیر شبه ساکن'' قرار دارد. لیو ، لیو،<ref name="Liu">{{Cite book|last=William Liu|title=MOSFET Models for Spice Simulation|year=2001|publisher=Wiley-Interscience|location=New York|isbn=0-471-39697-4|pages=42–44|url=http://worldcat.org/isbn/0471396974}}</ref> و گیلدنبلات ''و'' همکاران را ببینید''.''<ref>Hailing Wang, Ten-Lon Chen, and Gennady Gildenblat, ''Quasi-static and Nonquasi-static Compact MOSFET Models'' http://pspmodel.asu.edu/downloads/ted03.pdf {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20070103055142/http://pspmodel.asu.edu/downloads/ted03.pdf|date=2007-01-03}}</ref>
{{Cite book|last=William Liu|title=MOSFET Models for Spice Simulation|year=2001|publisher=Wiley-Interscience|location=New York|isbn=0-471-39697-4|pages=42–44|url=http://worldcat.org/isbn/0471396974}}</ref> و گیلدنبلات ''و'' همکاران را ببینید''.'' <ref>Hailing Wang, Ten-Lon Chen, and Gennady Gildenblat, ''Quasi-static and Nonquasi-static Compact MOSFET Models'' http://pspmodel.asu.edu/downloads/ted03.pdf {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20070103055142/http://pspmodel.asu.edu/downloads/ted03.pdf|date=2007-01-03}}</ref>
